CdTe/GaAs(111)B薄膜的MBE生长研究

• 作者: 姬荣斌 杨宇 杨玉林 赵俊
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 88-90
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 2325字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2007.02.007

摘要

采用分子束外延方法,在GaAs(111)B衬底上,生长CdTe薄膜,以求研制出用于液相外延生长碲镉汞(HgCdTe)薄膜的CdTe/GaAs(111)B复合衬底.通过理论分析和实验探索,优化了生长温度和Te/Cd束流比等重要生长参数,获得了质量较好的CdTe薄膜,再通过循环热处理,使CdTe/GaAs(111)B复合衬底的质量得到进一步的提高,X-射线回摆曲线半峰宽(FWHM)有明显的降低.为LPE-HgCdTe薄膜的生长打下了较好基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇		101	377	9.0	12.0
2	姬荣斌		50	200	7.0	10.0
3	杨玉林		6	13	2.0	3.0
7	赵俊		19	57	4.0	6.0