基于薄外延技术的高压BCD兼容工艺

• 作者: Qiao Ming 乔明 何忠波 周贤达 张波 徐静 方健 李肇基 段明伟 肖志强 郑欣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: BCD工艺 薄外延技术 双RESURF LDMOS
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1742-1747
• 页数: 6页
• 分类号: TN4
• 字数: 638字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.11.014

摘要

针对高压应用领域,开发了一种基于薄外延技术的高压BCD兼容工艺,实现了900V高压双RESURF LDMOS与低压CMOS,BJT器件的单片集成.与传统厚外延技术相比,工艺中n型外延层的厚度减小为9μm,因此形成pn结对通隔离的扩散处理时间被极大减小,结隔离有更小的横向扩散,节约了芯片面积,并改善了工艺的兼容性.应用此单层多晶、单层金属高压BCD兼容工艺,成功研制出一种基于耦合式电平位移结构的高压半桥栅极驱动电路,电路高端浮动偏置电压为880V.