电化学刻蚀法制备LaB6场发射微尖锥阵列

• 作者: 林祖伦 汪志刚 王小菊 祁康成 蒋亚东 陈泽祥
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶LaB6 场发射阵列 电化学刻蚀 各向异性
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 429-432
• 页数: 4页
• 分类号: O462.2|TN873+.95
• 字数: 1474字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2007.03.028

摘要

采用电化学刻蚀方法,成功制备出单尖的六硼化镧、钼、钨及钨铼合金场发射冷阴极尖锥,并对这几种场发射单尖锥阴极的电子发射性能进行了测试比较.结果表明,LaB6作为场发射阴极,具有良好的发射性能和稳定性.在《111》面单晶LaB6基片上,用PECVD法沉积非晶硅作掩膜,制备出具有一定高度的LaB6微尖锥场发射阵列,结果发现,LaB6基底较为平整,尖锥阵列呈现出各向异性.该结论对LaB6材料在场发射阴极方面的进一步研究具有重要的指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祁康成	电子科技大学光电信息学院	65	340	10.0	14.0
2	林祖伦	电子科技大学光电信息学院	76	442	10.0	15.0
3	蒋亚东	电子科技大学光电信息学院	318	2024	18.0	25.0
4	王小菊	电子科技大学光电信息学院	43	141	9.0	9.0
5	陈泽祥	电子科技大学光电信息学院	32	217	9.0	13.0
6	汪志刚	电子科技大学光电信息学院	8	64	4.0	8.0