多孔硅上贵金属的浸入沉积

• 作者: 常彦龙 时雪钊 王春明 苏旭
• 来源期刊: 化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 多孔硅 贵金属 浸入沉积
• 年，卷（期）: 2007,（22）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2527-2532
• 页数: 6页
• 分类号: O6
• 字数: 3954字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0567-7351.2007.22.005

摘要

将多孔硅浸入含贵金属盐的HF溶液20s,制备了Ag,Au,Pd和Pt的沉积层.AFM形貌显示,这4种贵金属都能在多孔硅上直接沉积,但Pt的沉积量比其他3种少.SEM图及能谱(Energy dispersive X-ray spectrometer,EDS)分析显示,沉积层优先生长在孔边上,孔边上的沉积量约是孔底的4.6倍.电化学方法分析显示,Pd和Pt,Ag和Au的沉积层分别具有类似的开路电位和交流阻抗特性,其中Pd层的溶出电流比其他3种大1个数量级,而阻抗比其他小1个数量级,说明Pd层与硅基底的结合程度好,结合界面导电性好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王春明	兰州大学化学化工学院	48	326	11.0	15.0
2	苏旭	兰州大学化学化工学院	5	9	2.0	3.0
3	常彦龙	兰州大学化学化工学院	21	58	5.0	7.0
4	时雪钊	兰州大学化学化工学院	1	6	1.0	1.0