场发射阵列阴极(FEA)在微波器件中的应用

• 作者: 林祖伦 王刚 王小菊
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 场发射阵列阴极 微波器件 金刚石薄膜 碳纳米管
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 29-32,36
• 页数: 5页
• 分类号: TN12
• 字数: 5227字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.01.008

摘要

分析了场发射阵列阴极的跨导、电容以及阵列阴极的发射电流密度、电子束直径、电流稳定性对微波器件性能的影响,并提出了相应的改善措施,有效地提高了微波器件的性能.最后,概述了金刚石薄膜及碳纳米管阵列阴极在微波器件中的应用情况,目前虽然还不成熟,却显得有极大的潜力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林祖伦	电子科技大学光电信息学院	76	442	10.0	15.0
2	王刚	电子科技大学光电信息学院	35	209	9.0	13.0
3	王小菊	电子科技大学光电信息学院	43	141	9.0	9.0