利用ISE-TCAD分析和设计SCR结构的静电保护电路

• 作者: 向李艳 邬齐荣 陈畅 龚敏
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 静电保护 ISE-TCAD 可控硅整流器
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 30-33,38
• 页数: 5页
• 分类号: TN431.2
• 字数: 3922字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2007.08.009

摘要

传统的ESD保护电路设计主要基于尝试性和破坏性的实验,这种方法不利于产品的推出[1].文中提出使用ISE-TCAD工具对ESD保护电路进行模拟和优化,以快速地获取面积参数.并以某一典型0.6 μm CMOS工艺的可控硅整流器(SCR)结构为例,进行ESD人体放电模型的模拟和面积估算,达到了缩短设计周期和增加设计成功率的目的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚敏	四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室	109	372	10.0	12.0
2	邬齐荣	四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室	12	51	3.0	7.0
3	陈畅	四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室	8	19	2.0	4.0
4	向李艳	四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室	1	1	1.0	1.0