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摘要:
根据OMMIC公司通过测量得到的0.2μm GaAs PHEMT器件参数模型和噪声模型,设计了2.5 Gbit/s的共源跨阻前置放大器.并根据PHEMT晶体管Y参数下的噪声模型,结合Y参数和ABCD参数下的噪声密度矩阵,分析了电路在带有晶体管噪声源情况下整个电路的噪声电压,得出了共源跨阻前置放大器等效输入噪声电流密度的理论公式.实现了芯片制作,并且对芯片进行了噪声参数的测量,测量结果、仿真结果和理论分析结论在6GHz的频率范围内基本符合.
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文献信息
篇名 2.5 Gbit/s PHEMT前置放大器噪声分析与验证
来源期刊 东南大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 PHEMT 跨阻放大器 噪声
年,卷(期) 2007,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 364-367
页数 4页 分类号 TN722.3
字数 1816字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1001-0505.2007.03.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王志功 东南大学射频与光电集成电路研究所 342 2153 20.0 29.0
2 朱恩 东南大学射频与光电集成电路研究所 64 419 9.0 16.0
3 蔡水成 东南大学射频与光电集成电路研究所 2 9 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
PHEMT
跨阻放大器
噪声
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
东南大学学报(自然科学版)
双月刊
1001-0505
32-1178/N
大16开
南京四牌楼2号
28-15
1955
chi
出版文献量(篇)
5216
总下载数(次)
12
总被引数(次)
71314
相关基金
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
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