缓冲层对InSb/GaAs薄膜质量的影响

• 作者: LI Lin LI Mei LI Zhan-guo LIU Guo-jun WANG Xiao-hua WANG Yong YOU Ming-hui ZHANG Bao-shun 熊敏
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 分子束外延 缓冲层 表面形貌 透射电子显微镜
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 546-550
• 页数: 5页
• 分类号: O482.31
• 字数: 3112字
• 语种: 中文

摘要

InSb是制作3～5 μm红外探测器的重要材料.在GaAs衬底上外延生长InSb,存在的主要问题在于两种材料间14.6%的晶格失配度,会引入较大的表面粗糙度以及位错密度,使外延材料的结构和电学性能均会受到不同程度的影响.通过系列实验,研究了在生长过程中缓冲层对薄膜质量的影响.利用高能电子衍射仪(RHHEED)得到了合适的生长速率和Ⅴ/Ⅲ比,研究了异质外延InSb薄膜生长中低温InSb缓冲层对材料生长质量以及不同外延厚度对材料电学性质的影响.采用原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线双晶衍射(DCXRD)等方法研究了InSb/GaAs薄膜的表面形貌、界面特性以及结晶质量.通过生长合适厚度的缓冲层,获得了室温下DCXRD半高峰宽为172",77 K下迁移率为64 300 cm2·V-1·s-1的InSb外延层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊敏		5	18	2.0	4.0
2	LI Zhan-guo		1	3	1.0	1.0
3	LIU Guo-jun		1	3	1.0	1.0
4	LI Mei		1	3	1.0	1.0
5	YOU Ming-hui		1	3	1.0	1.0
6	LI Lin		1	3	1.0	1.0
7	ZHANG Bao-shun		1	3	1.0	1.0
8	WANG Xiao-hua		1	3	1.0	1.0
9	WANG Yong		1	3	1.0	1.0