MOSFET迁移率增强技术

• 作者: 徐秋霞 胡爱斌
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 载流子迁移率 衬底诱生应力 工艺诱生应力 衬底晶向
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 61-66
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 字数: 3521字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2007.01.016

摘要

随着MOSFET特征尺寸的缩小,载流子的迁移率降低已成为器件性能衰退的主要因素之一,迁移率增强技术因此获得了广泛的研究和应用.衬底诱生应力、工艺诱生应力和采用不同的衬底晶向等三类方法都可以显著提高载流子的迁移率.文章综述了常见的几种迁移率增强技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐秋霞	中国科学院微电子研究所	37	108	6.0	8.0
2	胡爱斌	中国科学院微电子研究所	3	7	2.0	2.0