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摘要:
推荐文章
32nm CMOS工艺技术挑战
CMOS技术
32nm技术节点
迁移率增强
金属栅/高k栅介质
超低k介质
45nm CMOS工艺下的低泄漏多米诺电路研究
多米诺逻辑
阈值电压
亚阈值泄漏
栅极氧化层
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 Cu/低k对45和32nm节点的挑战
来源期刊 集成电路应用 学科
关键词
年,卷(期) 2007,(1) 所属期刊栏目 工艺与制造
研究方向 页码范围 27
页数 1页 分类号
字数 1237字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1674-2583.2007.01.010
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
集成电路应用
月刊
1674-2583
31-1325/TN
16开
上海宜山路810号
1984
chi
出版文献量(篇)
4823
总下载数(次)
15
总被引数(次)
4205
论文1v1指导