Mn离子注入InAs/GaAs量子点结构材料的光电性质研究

• 作者: 叶小玲 王占国 胡良均 陈涌海
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 离子注入 InAs/GaAs量子点 光致发光 团簇
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4930-4935
• 页数: 6页
• 分类号: TM2
• 字数: 4115字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.08.093

摘要

用高能离子注入(160 keV)的方法对InAs/GaAs量子点结构进行掺杂,研究了不同退火工艺处理后量子点的光致发光和电学性能.相对于长时间退火,快速退火处理后的量子点发光通常较强.在相同的退火条件下,量子点发光峰位随着Mn注入剂量的增加,先是往高能量端快速移动,而后发光峰又往低能方向移动.后者可能是由于Mn原子进入InAs量子点,释放了InAs量子点中的应变所致.对于高注入剂量样品和长时间退火样品,变温电阻曲线在40 K附近会出现反常行为.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王占国	中国科学院半导体研究所	101	701	15.0	23.0
2	陈涌海	中国科学院半导体研究所	16	40	4.0	5.0
3	叶小玲	中国科学院半导体研究所	9	25	3.0	4.0
4	胡良均	中国科学院半导体研究所	2	3	1.0	1.0