利用金属过渡层低温键合硅晶片

• 作者: 余金中 张小英 李成 赖虹凯 陈松岩
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅片键合 界面特性 金属过渡层 键合机理
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 213-216
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2754字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.02.014

摘要

在Si/Si之间采用Ti/Au金属过渡层,实现了Si/Si低温键合,键合温度可低至414 ℃.采用拉伸强度测试对Si/Si键合结构的界面特性进行测试,结果表明,键合强度高于1.27MPa;I-V测试表明,Si/Ti/Au/Ti/Si键合界面基本为欧姆接触;X射线光电子能谱(XPS)测试结果进一步表明,界面主要为Si-Au共晶合金.不同温度的变温退火实验表明,键合温度越高,键合强度越大,且渐变退火有利于提高键合强度.