基于神经元MOS器件的施密特触发器设计

• 作者: 雷晶
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 神经元MOS 施密特触发器 控阈技术 回差
• 年，卷（期）: 2007,（6）
• 页码范围: 2057-2060
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 2952字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.06.022

摘要

为实现施密特触发器低功耗、回差可控,将神经元MOS器件的控阈技术用于施密特触发器的设计中,设计出基于神经元MOS器件的施密特触发器,并且进一步提出了外部可控回差的施密特触发器的设计.通过HSPICE对电路进行模拟,实验表明此设计仅需2个MOS管,功耗阵低30%.并且这种通过改变外部电压值调整回差电压大小的方法比以往的方法更为方便实用.