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摘要:
利用差示扫描量热仪(DSC)、显微热分析仪和偏光显微镜(POM)对系列侧向邻二氟取代联苯类液晶的介晶性进行了系统研究.结果表明,所有化合物均具高清亮点(119~171 ℃)及较宽的液晶相温度范围(53~108 ℃).在液晶态可观察到部分单体的近晶A相(SA)和所有单体向列相的典型织构.讨论了末端基团对液晶性的影响,发现末端基团的增长会导致液晶的熔点、清亮点的下降及近晶相温度范围的增加.液晶相区间随端基的变化呈现出交替升降的规律性.
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文献信息
篇名 侧向邻二氟取代联苯类液晶的相变研究
来源期刊 液晶与显示 学科 工学
关键词 液晶 负介电各向异性 介晶性 织构 VA-TFT
年,卷(期) 2007,(2) 所属期刊栏目 研究报告
研究方向 页码范围 151-155
页数 5页 分类号 TN104.3
字数 2235字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-2780.2007.02.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 安忠维 西安近代化学研究所光电材料中心 85 503 11.0 18.0
2 李建 西安近代化学研究所光电材料中心 30 169 5.0 12.0
3 胡明刚 西安近代化学研究所光电材料中心 10 16 3.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
液晶
负介电各向异性
介晶性
织构
VA-TFT
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
液晶与显示
月刊
1007-2780
22-1259/O4
大16开
长春市东南湖大路3888号
12-203
1986
chi
出版文献量(篇)
3141
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21631
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