氮化铟p型掺杂的第一性原理研

• 作者: 丁少锋 李述体 肖冰 范广涵
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 氮化铟 p型掺杂 电子结构 第一性原理
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4062-4067
• 页数: 6页
• 分类号: O6
• 字数: 3481字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.069

摘要

采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势法,对Mg,Zn,Cd掺杂InN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数,其中非掺杂体系的理论值与实验值符合很好.计算了掺杂InN晶体的结合能,总体态密度、集居数,差分电荷密度,并对此做了细致的分析.计算结果表明.相对于Zn和Cd,MgIn在.InN中的溶解度会更大,并能提供更多的空穴态,非常有利于InN的p型掺杂.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	李述体	华南师范大学光电子材料与技术研究所	39	180	7.0	11.0
3	丁少锋	华南师范大学光电子材料与技术研究所	9	157	6.0	9.0
4	肖冰	西安交通大学材料学院	6	48	5.0	6.0