一种高温工作的激光测距SOICMOS集成电路

• 作者: 刘善喜 刘梦新 安涛 张新 马立国 高勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上的硅 高温特性 单管 全耗尽
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 159-165
• 页数: 7页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 965字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.02.004

摘要

基于薄膜全耗尽SOICMOS工艺,进行了建模分析,在300～600 K温度范围内,利用ISETCAD软件对SOICMOS器件单管高温特性进行了模拟分析,同时利用Verilog软件对激光测距电路进行了整体仿真.通过工艺流片,实现了一种电路级具有完整功能和参数要求的高温工作的激光测距SOICMOS集成电路.通过实际测试表明模拟结果与之相吻合,同时通过对整体电路结果功能和参数在常温和高温下的测试,表明该电路功耗低、速度快,可满足激光测距电路的要求.该电路的研制,对进一步开展高温短沟道SOICMOS集成电路的研究具有一定的指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高勇		189	1184	15.0	26.0
2	刘梦新		9	19	3.0	4.0
3	安涛		50	182	7.0	11.0
4	张新		11	49	4.0	6.0
8	刘善喜		5	12	2.0	3.0
9	马立国		1	0	0.0	0.0