一种低电压高精度CMOS带隙基准设计

• 作者: 强新建 李攀 王进军 田泽
• 来源期刊: 航空计算技术
• 关键词: CMOS 带隙基准 曲率补偿
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 计算机应用
• 页码范围: 53-55,59
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-654X.2007.02.015

摘要

设计了一种标准CMOS工艺下的低电压带隙基准电路,该电路使用了温度的二阶曲率补偿技术,使输出电压达到了较低的温度系数.HSPICE的仿真结果表明,该电路在-20℃～120℃的温度范围内,输出电压变化为500uV,在1.0V～1.8V的电源电压范围内,输出电压为284.6±0.3 mV,电压抑制比约为60dB,最低工作电压接近于1V,在1.3V的电源电压时,总共耗为5uW,适合于低电压低功耗领域的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	强新建	西北大学信息学院	16	94	5.0	9.0
3	田泽	西北大学信息学院	34	263	9.0	14.0
5	王进军	西北大学信息学院	8	44	5.0	6.0
8	李攀	西北大学信息学院	7	49	5.0	7.0