硅基氧化锌薄膜中的发光和复合中心

• 作者: 付竹西 刘磁辉 姚然 苏剑锋 马泽宇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MOCVD ZnO/p-Si 异质结 缺陷
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 196-199
• 页数: 4页
• 分类号: O472+.4
• 字数: 3044字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.02.010

摘要

报道了用MOCVD方法制备的硅基ZnO薄膜中的中性施主-价带D0h发光.ZnO/p-Si结构经空气中700 ℃退火1h,然后进行X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱和I-V特性测量.实验得到不同载气流量制备的样品都具有整流特性.深能级瞬态谱(DLTS)测量探测到各样品中存在两个施主深能级E1和E2.相应的室温PL谱测量显示样品近带边发射包含不同的发光线.利用高斯拟合方法,样品S2a的PL谱分解为三条发光线b,c和d,其中发光线b可归结为ZnO中的激子发射;DLTS测量得到的施主能级E1与发光线c和d的局域态电离能Ed相关,为D0h中心.此外,实验揭示E2能级的相对隙态密度与PL谱的发光强度成反比,表明深能级E2具有复合中心性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘磁辉	中国科技大学物理系	3	11	3.0	3.0
2	马泽宇	中国科技大学物理系	2	8	2.0	2.0
3	付竹西	中国科技大学物理系	2	8	2.0	2.0
4	姚然	中国科技大学物理系	1	4	1.0	1.0
5	苏剑锋	中国科技大学物理系	1	4	1.0	1.0