一种半绝缘键合SOI新型BCD结构

• 作者: 冯建 刘勇 刘玉奎 徐世六 李肇基 杨谟华 谭开洲
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: BCD 半绝缘SOI VDMOS 功率集成电路
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 763-767
• 页数: 5页
• 分类号: TN303
• 字数: 3773字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.05.027

摘要

提出了一种采用半绝缘SOI的新型BCD结构,该结构把高压大电流VDMOS,CMOS和双极器件同时可靠地集成在一起,其特点是集成了垂直导电的VDMOS.这种结构在汽车电子、抗辐射、强电磁脉冲环境等领域有较好的潜在应用.BCD样品芯片垂直导电VDMOS击穿电压为160V,导通电阻为0.3Ω,比导通电阻为26mΩ·cm2;npn,pMOS,nMOS击穿电压分别为50,35,30V;npn管β为120,ft为700MHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李肇基	电子科技大学微电子与固体电子学院	85	958	14.0	28.0
2	杨谟华	电子科技大学微电子与固体电子学院	58	278	8.0	11.0
3	谭开洲	电子科技大学微电子与固体电子学院	2	2	1.0	1.0
7	徐世六		15	99	6.0	9.0
8	刘玉奎		9	60	3.0	7.0
9	刘勇		8	16	3.0	3.0
10	冯建		5	9	2.0	2.0