用纳米棒ZnO作模板生长无支撑的AlN纳米晶

• 作者: 刘祥林 康亭亭 张日清 焦春美 胡卫国 魏鸿源
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 金属有机物气相外延 纳米材料 氮化物
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1508-1512
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 651字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.10.003

摘要

用金属有机物气相外延在纳米棒ZnO模板上沉积AlN薄膜.SEM测试表明该薄膜形成了一种倾倒纳米棒的表面.而GIXRD测试进一步证实它是纤锌矿结构的AlN,晶粒尺度约为12nm,接近于ZnO纳米棒的直径(30nm).这意味着纳米棒结构的ZnO能限制AlN的横向生长.此外,高温下用H2刻蚀ZnO直接在生长中实现了外延层的剥离.最终得到了无支撑的AlN纳米晶,完整无破损的区域约为1cm×1cm.定义这个生长机制为"生长-刻蚀-合并"过程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡卫国	中国科学院半导体研究所	2	3	1.0	1.0
2	魏鸿源	中国科学院半导体研究所	4	3	1.0	1.0
3	焦春美	中国科学院半导体研究所	1	0	0.0	0.0
4	康亭亭	中国科学院半导体研究所	2	0	0.0	0.0
5	张日清	中国科学院半导体研究所	1	0	0.0	0.0
6	刘祥林	中国科学院半导体研究所	19	103	5.0	9.0