亚微米CMOS工艺中GG-NMOS结构ESD保护电路改进设计

• 作者: 夏炎 黄九洲
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: ESD GG-NMOS 栅耦合 HBM MM
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 423-425
• 页数: 3页
• 分类号: TN386
• 字数: 1895字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.02.020

摘要

针对采用GG-NMOS结构ESD保护电路的IC芯片在实际应用中出现ESD失效现象,在不额外增加版图面积的情况下通过引入栅耦合技术对现有的ESD保护结构进行改进,并达到了预期效果.实验结果显示其性能达到了人体放电模式的2级标准(HBM:3000V),机器模式3级标准(MM:400V).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄九洲	东南大学集成电路学院	1	4	1.0	1.0
2	夏炎		1	4	1.0	1.0