用卢瑟福背散射/沟道技术研究MOVCD方法生长的ZnO薄膜的弹性应变

• 作者: 刘玉娟 姚淑德 张斌 江风益 王坤 王立
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 卢瑟福背散射/沟道 ZnO薄膜 结晶品质 四方畸变
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 657-659
• 页数: 3页
• 分类号: O47|TL99|TB43
• 字数: 1655字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2007.08.005

摘要

用卢瑟福背散射/沟道(RBS/Channeling)技术研究了在Al2O3(0001)衬底上用MOCVD方法生长的ZnO薄膜的弹性应变.ZnO薄膜的xmin=5.1%,表明其具有非常好的结晶品质.ZnO薄膜的四方畸变为正,表明其在水平方向是拉应变,垂直方向是压应变.弹性应变由界面向表面逐渐释放,其在界面附近最大,在表面处最小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王立	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	48	324	10.0	14.0
2	江风益	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	60	527	12.0	19.0
3	姚淑德	北京大学物理学院	22	100	5.0	9.0
4	王坤	北京大学物理学院	23	206	7.0	14.0
5	刘玉娟	东华理工大学核工程技术学院	24	113	5.0	10.0
6	张斌	复旦大学现代物理研究所	69	302	9.0	14.0