射频磁控溅射制备声表面波器件用ZnO薄膜

• 作者: 刘敬松 孙明霞 张树人 杨成韬 董加和 郑泽渔 钟朝位
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频磁控溅射 氧化锌薄膜 射频功率 氧氢比(V(O2)/V(Ar)) 衬底温度 声表面波器件
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 单晶、薄膜及其他功能材料
• 页码范围: 83-86
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2909字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2007.01.028

摘要

研究了采用射频磁控溅射法在SiO2/Si衬底上制备ZnO薄膜工艺中溅射功率、氧氩比(V(O2)/V(Ar))及衬底温度对ZnO薄膜结构的影响.利用X-射线衍射(XRD)和扫描力显微镜(AFM)对薄膜进行结构性能分析,表明其结构性能随工艺参数变化的规律.利用优化的工艺条件:射频功率60 W、V(O2)/V(Ar)为0.55和衬底温度350℃,在DLC/Si衬底上制备了ZnO薄膜,制作加工成声表面波滤波器件,测试分析了频率响应特性,中心频率为596.5 MHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟朝位	电子科技大学微电子与固体电子学院	49	326	8.0	16.0
2	张树人	电子科技大学微电子与固体电子学院	187	1176	16.0	24.0
3	杨成韬	电子科技大学微电子与固体电子学院	67	255	8.0	12.0
4	董加和	电子科技大学微电子与固体电子学院	5	21	3.0	4.0
5	刘敬松	电子科技大学微电子与固体电子学院	11	108	5.0	10.0
6	孙明霞	电子科技大学微电子与固体电子学院	3	13	2.0	3.0
7	郑泽渔	电子科技大学微电子与固体电子学院	4	16	3.0	4.0