MOSFET输出电容的非线性对振荡频率的影响

• 作者: 刘平 刘晓芳 宋惠娜 曾波
• 来源期刊: 科技与创新
• 关键词: 输出电容 非线性 振荡频率
• 年，卷（期）: 2007,（29）
• 所属期刊栏目: 电子设计
• 页码范围: 258-259,230
• 页数: 3页
• 分类号: TN752.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-0570.2007.29.106

摘要

MOSFET的寄生参数会影响振荡器的性能指标.例如:漏极与源极之间的寄生电容(输出电容COSS)的存在会影响振荡器的频率.而且,COSS呈非线性特性.本文独具创新,以MOSFET的寄生电容作为振荡器的谐振电容.在这篇文章中,构造了包含非线性电容的电路等效模型,借助Matlab软件分析了非线性电容COSS对振荡频率的影响.分别获得了振荡频率随输出射频电压幅度变化和随直流电源电压变化的曲线.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘平	郑州大学信息工程学院	59	239	8.0	11.0
2	刘晓芳	郑州大学信息工程学院	25	107	6.0	9.0
3	曾波	郑州大学信息工程学院	5	20	3.0	4.0
4	宋惠娜	郑州大学信息工程学院	1	9	1.0	1.0