功率MOSFET器件单粒子烧毁252Cf源模拟试验研究

• 作者: 曹洲 杨世宇 薛玉雄
• 来源期刊: 原子能科学技术
• 关键词: 单粒子烧毁 辐射环境 功率MOSFET器件 252Cf源
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 技术及应用
• 页码范围: 361-365
• 页数: 5页
• 分类号: TN406
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6931.2007.03.022

摘要

本工作涉及利用252Cf源进行辐射效应试验研究的方法.结合功率MOSFET器件单粒子烧毁测试技术,对功率MOSFET器件辐射效应进行模拟试验研究.研究结果表明:在空间辐射环境下,功率MOSFET器件尽量使用在低电压范围内;在电路设计中附加必要的限流电阻是1种十分有效的抗单粒子烧毁措施.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛玉雄		20	181	9.0	12.0
2	曹洲		19	181	9.0	12.0
3	杨世宇		17	161	9.0	11.0