版图结构对MOS器件总剂量辐照特性的影响

• 作者: 勾秋静 李冬梅 王志华 皇甫丽英
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOS晶体管 版图 总剂量 辐照效应
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 171-175
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 433字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.02.006

摘要

在商用标准0.6μm体硅CMOS工艺下,设计了采用普通单栅及多栅版图结构的nMOS和pMOS晶体管作为测试样品,讨论其经过γ射线照射后的总剂量辐照特性.辐照中器件采用不同电压偏置,并在辐照前后对器件的源漏极间泄漏电流、阈值电压漂移及跨导特性进行测量.研究表明nMOS总剂量效应对器件的版图结构非常敏感,而pMOS的总剂量效应几乎不受版图结构的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李冬梅	清华大学电子工程系	81	611	13.0	21.0
2	皇甫丽英	清华大学电子工程系	12	48	5.0	6.0
3	勾秋静	清华大学电子工程系	10	44	4.0	6.0
4	王志华	清华大学微电子学研究所	183	1964	21.0	36.0