NiO制备工艺对超电容器比电容的影响

• 作者: 丁士华 宋天秀 李胜 梁逵
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 超级电容器 真空处理 一氧化镍 比电容 热处理温度 保温时间
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 36-38
• 页数: 3页
• 分类号: TM53
• 字数: 2763字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2007.12.012

摘要

以硝酸镍为原料,采用sol-gel法制备Ni(OH)2,在不同温度下,用真空烧结炉和管式电阻炉对其热处理后得到NiO,与活性炭电极组成非对称超级电容器研究了NiO制备工艺对超电容器比电容影响.结果表明:Ni(OH)2经真空烧结炉处理所得NiO的比电容均高于管式电阻炉处理,在260 ℃保温时间为1 h真空度为0.5 Pa时比电容达最大481.15 F/g.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁士华	西华大学材料科学与工程学院	111	243	8.0	10.0
2	宋天秀	西华大学材料科学与工程学院	88	200	7.0	10.0
3	梁逵	湖南大学材料科学与工程学院	22	147	8.0	11.0
4	李胜	西华大学材料科学与工程学院	5	40	4.0	5.0