GaN发光二极管表观电容极值分析

• 作者: 游开明 袁红志 谭延亮 陈列尊
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN发光二极管 负电容 正向交流(ac)小信号方法 可变电容 极值
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 237-240
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 1822字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2007.02.018

摘要

利用正向交流(ac)小信号方法对GaN发光二极管的电容-电压特性进行测量,可以观察到GaN发光二极管中的负电容现象.正向偏压越大,测试频率越低,负电容现象越明显.测量到的负电容现象是表象,不存在负电容;提出GaN发光二极管p-n结的结电容在特定的正向电压范围内等效于可变电容.分析可变电容对正向交流小信号响应得到:特定参数的可变电容使结电容电流相位落后于交流小信号电压相位π/2,使得在测量中表现为负电容.发现表观电容-正向电压曲线的极值点与理论模型相吻合,证明了该理论模型的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	游开明	衡阳师范学院物电系	80	210	8.0	10.0
2	陈列尊	衡阳师范学院物电系	77	174	6.0	9.0
3	谭延亮	衡阳师范学院物电系	37	75	5.0	6.0
4	袁红志		18	34	3.0	5.0