AlGaN/GaN HEMT材料外延技术研究

• 作者: 刘英斌 杨红伟
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机物化学气相淀积 蓝宝石 碳化硅 高电子迁移率晶体管 在位监测
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 186-189
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 1544字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.04.006

摘要

采用低压MOCVD技术在蓝宝石和SiC衬底上生长了本征GaN和AlGaN/GaN HEMT结构材料.生长过程中采用了EpiTUNE Ⅱ在位监测技术,对材料生长工艺进行了模型分析以及优化控制.在获得具有良好表面形貌、晶体质量以及光荧光谱的GaN本征材料基础上,生长了AlGaN/GaN HEMT结构材料,获得了良好的2DEG性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘英斌	中国电子科技集团公司第十三研究所	10	54	5.0	7.0
2	杨红伟	中国电子科技集团公司第十三研究所	23	87	6.0	7.0