300 mm 硅单晶生长过程中热弹性应力的数值分析

• 作者: 周旗钢 戴小林 肖清华 高宇
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 热应力 模拟 300 mm 硅单晶
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 585-589
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 2523字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2007.05.001

摘要

采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长300 mm硅单晶热场和热应力分布进行了模拟,模拟考虑了热传导、辐射、气体和熔体对流、热弹性应力等物理现象.针对晶体生长过程中小形变量的塑性形变,以Cauchy第一和第二运动定律作为局部控制方程,考虑了硅单晶的各向异性,计算了＜100＞硅单晶生长过程中晶体内von Mises应力分布和变化规律,结果表明在等径生长阶段热应力上升最显著,界面上方晶体内热应力随晶体生长速率增大而升高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周旗钢		35	176	8.0	12.0
2	戴小林		6	49	3.0	6.0
3	肖清华		9	78	3.0	8.0
4	高宇		4	28	3.0	4.0