一种高精度CMOS带隙基准源的设计

• 作者: 刘章发 尉理哲 路宁
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准源 曲率补偿 PTAT 自偏 PSRR 温度系数
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与开发
• 页码范围: 1082-1085
• 页数: 4页
• 分类号: TN492|TN86
• 字数: 2129字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.12.018

摘要

分析了传统CMOS带隙基准源电路中三极管VBE电流随温度变化的二阶非线性效应,提出了一种对PTAT二阶温度进行补偿的方法,并在此基础上设计了一个高精度的带隙基准源电路.该电路采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺实现,具有良好的温度系数和电源抑制比.Cadence Spectre仿真结果表明,该电路在-40～140 ℃的温度系数为7.7×10-6/℃,低频时的电源抑制比可达-76 dB,基准源电路的供电电压范围为2～4.5 V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘章发	北京交通大学电子信息工程学院	19	67	5.0	7.0
2	路宁	北京交通大学电子信息工程学院	3	16	2.0	3.0
3	尉理哲	北京交通大学电子信息工程学院	2	14	2.0	2.0