90nm pMOSFETs NBTI退化模型及相关机理

• 作者: 于磊 曹艳荣 朱志炜 郝跃 陈海峰 马晓华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: NBTI 90nm pMOSFETs 模型
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 665-669
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1020字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.05.007

摘要

对90nm pMOSFETs在不同温度及栅压应力下的NBTI效应进行了研究,从而提出了90nm pMOSFETs NBTI退化对时间t、温度T及栅压应力Vg的模型.时间模型及温度模型与过去研究所提出的模型相似,但是关键参数有所改变.栅压应力模型遵循双对数关系,这与传统的单对数栅压应力模型不同.将较低的栅压应力也考虑在内时,双对数栅压应力模型较单对数栅压应力模型更为准确.