700 V VDMOS设计

• 作者: 刘侠 孙伟锋 张健 杨东林
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOS 击穿电压 特征导通电阻 数值模拟
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 419-422
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 3265字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.02.019

摘要

主要研究高压VDMOS器件的设计方法.理论分析了VDMOS结构参数与其主要性能的关系.按700VVDMOS器件击穿电压和导通电阻的设计要求给出基本的结构参数,并在此基础上通过数值模拟的方法进行优化.重点讨论外延电阻率及厚度,栅的长度和PBODY结深对VDMOS器件BV和Rdson的影响,最终得到了满足器件设计要求的最佳结构参数.同时还分析了集成电路中的VDMOS与普通分立VDMOS器件在器件结构设计上的主要差别.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙伟锋	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	105	634	13.0	19.0
2	张健	西安电子科技大学微电子学院	8	113	5.0	8.0
4	刘侠	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	2	18	2.0	2.0
5	杨东林	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	1	11	1.0	1.0