柔性ITO衬底电化学沉积制备Cu/Cu2O薄膜

• 作者: 李豪 董林 贾晓林 马莹
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Cu2O 电化学沉积 柔性衬底
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 798-801
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 1891字
• 语种: 中文

摘要

研究了使用电化学沉积法于碱性条件下在柔性ITO衬底上制备Cu/Cu2O薄膜的方法.循环伏安曲线表明Cu2O与Cu的阴极峰分别位于-500 mV(vs Ag/AgCl)和-800 mV(vs Ag/AgCl)附近.利用循环伏安法考察了生长温度和电解液pH值等对Cu2O与Cu阴极峰电位的影响,阴极峰随生长温度的升高以及pH值的降低而略向阳极移动,沉积电流也随之相应增大.与弱酸性条件相比,上述两个阴极峰随pH值升高而移动的程度明显减小,这可能与碱性条件下C3H6O电离程度增大以及C3H6O根作为配体的过量程度有关.通过X射线衍射光谱和扫描电子显微镜的表征证实,在所研究的生长温度区间和pH值内可利用电化学沉积法在柔性ITO衬底上制备Cu/Cu2O纳米混晶薄膜.在相同的生长温度和pH条件下,电化学沉积电位对样品表面形貌和晶体性质具有较大影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾晓林	郑州大学材料科学与工程学院	72	778	13.0	24.0
2	马莹	郑州大学材料科学与工程学院	9	35	4.0	5.0
3	董林	郑州大学材料科学与工程学院	14	40	4.0	6.0
4	李豪	郑州大学材料科学与工程学院	12	12	3.0	3.0