基于分子量级的化学机械抛光材料去除机理

• 作者: 王永光 赵永武
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 单分子层机理试验 理论模型
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 308-312
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 3528字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.02.032

摘要

Katsuki采用原子力显微镜(AFM)模拟单个磨粒与芯片的划痕作用,文中以此为基础使用线性回归的方法计算了化学机械抛光(CMP)中实际载荷情况下的划痕深度数量级为10-11m;Nishizawa应用椭圆偏振光谱仪(SE)测试了氧化薄膜厚度和反应时间的关系,并结合理论计算得到1.0×10-8s内氧化薄膜厚度的量级为10-13m.实验结果为单分子层材料去除机理提供了依据.最后,以此机理为基础,建立了单分子层材料去除模型,结果与他人实验相吻合,为进一步研究CMP中单分子层材料去除机理提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵永武	江南大学机械工程学院	117	687	12.0	21.0
2	王永光	江南大学机械工程学院	26	137	6.0	10.0