纳米碳管催化CVD工艺中多物理场的耦合模拟分析

• 作者: 刘朗 史景利 翟更太 赵建国 郭全贵
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 纳米碳管 化学气相沉积 数值模拟
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 11-14
• 页数: 4页
• 分类号: TB3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2007.z1.004

摘要

为了研究工艺参数对于化学气相沉积工艺制备纳米碳管的影响,建立了描述CVD工艺的2D轴对称几何模型,对CVD工艺中的温度场,前驱体浓度场、速度场进行了耦合模拟分析.研究结果表明在CVD炉内沿轴向存在一个很大的温度梯度,但高温沉积区域温度均匀稳定,前驱体乙炔浓度适中,有利于纳米碳管的生长.模拟结果的精确度高,可用于纳米碳管CVD工艺的参数优化,最终达到在计算机上做实验的目的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘朗		8	47	5.0	6.0
2	史景利		6	38	5.0	6.0
3	郭全贵		7	44	5.0	6.0
4	赵建国		52	301	9.0	15.0
6	翟更太		4	25	3.0	4.0