高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析

• 作者: 刘宗顺 刘文宝 史永生 张书明 张爽 朱建军 杨辉 段俐宏 江德生 王海 赵德刚
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 肖特基势垒 紫外探测器 GaN 开路电压 禁带边 表面态
• 年，卷（期）: 2007,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 592-596
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2596字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.04.023

摘要

制作了反向饱和电流为5.5×10-14 A/cm2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长359nm光束横向扫描探测器的光敏面,测量了探测器在不同偏压下的空间响应均匀性,相应偏压下的光响应在光敏面中央范围内响应幅值变化不超过0.6%.光子能量在禁带边沿附近的光束照射下,GaN肖特基势垒紫外探测器存在势垒高度显著降低现象,这种现象在肖特基透明电极边沿及其压焊电极附近表现得更为突出.探测器在368和810nm波长光一起照射时的开路电压比只有368nm光照射时的开路电压大,而零偏压下两者的光电流近似相等.利用这种开路电压变化效应估算了探测器在368nm光照射下,表面被俘获空穴的面密度变化量约为8.4×1010 cm-2.