p-Si基PTCDA的生长模式

• 作者: 刘凤敏 宋珍 欧谷平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: PTCDA 生长模式 AFM
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1009-1011
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 1028字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.07.002

摘要

对有机/无机光电探测器PTCDA/p-Si样品表面进行AFM测试,结果表明PTCDA呈岛状生长,各岛成圆丘状,岛的分布不均匀,PTCDA层中存在大量缺陷.原因是p-Si(100)衬底的表面原子悬挂键的作用,使硅原子横向移动满足键合需要形成台阶和其他缺陷.得出PTCDA在p-Si基底上的生长模式为:PTCDA首先在缺陷处聚集,形成许多三维岛状的PTCDA晶核,然后在PTCDA离域大π键的作用下,相邻的两层PTCDA分子存在一定程度的交叠,最终形成岛状结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋珍	北京信息科技大学理学院	3	0	0.0	0.0
2	欧谷平	湖南科技大学物理学院	6	19	3.0	4.0
3	刘凤敏	北京信息科技大学理学院	13	17	3.0	4.0