用于脉冲γ强度测量的φ60,1000 μm PIN探测器

• 作者: 宋献才 李真富 欧阳晓平 霍裕昆
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 大面积 电流型 半导体探测器
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 所属期刊栏目: 核物理学
• 页码范围: 1353-1357
• 页数: 5页
• 分类号: O57
• 字数: 3503字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.03.018

摘要

采用电阻率为10000-20000Ω·cm 的高阻单晶硅材料,研制成功灵敏区尺寸为φ60 mm,耗尽层厚度～1000 μm的大面积厚PIN半导体探测器.设计了该类探测器厚度测量专用的反冲质子测量系统,对探测器的时间响应、γ灵敏度、漏电流、γ/n分辨等物理参数进行了测量和分析,结果表明,这类探测器可满足低强度裂变n/γ混合场中脉冲γ强度测量的需要.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	欧阳晓平	清华大学工程物理系	99	283	9.0	11.0
5	霍裕昆	复旦大学现代物理研究所	15	73	6.0	8.0
6	李真富		18	120	7.0	9.0
7	宋献才	中国工程物理研究院电子学研究所	5	21	3.0	4.0