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摘要:
提出了一种新颖的宽范围CMOS可变增益放大器结构.利用可变跨导和新颖的可变输出电阻,基于单独可变增益级的放大器可提供80dB的宽范围调节.同时控制电路的设计完成了温度补偿及dB线性增益特性,实现在整个温度及增益调节范围内绝对增益误差小于±1.5dB.基于0.25μm CMOS工艺验证表明,放大器可提供64.5dB的增益变化范围,其中dB线性范围为55.6dB.输入1dB压缩点为-17.5到11.5dBm,3dB带宽为65MHz到860MHz,2.5V电源供电下功耗为16.5mW.
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文献信息
篇名 具有温度补偿及dB线性增益控制的单级宽范围CMOS可变增益放大器
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 dB线性 温度补偿 可变增益放大器 自动增益控制
年,卷(期) 2007,(4) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 518-525
页数 8页 分类号 TN72
字数 1392字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.04.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吴建辉 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 102 725 13.0 20.0
2 时龙兴 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 61 457 11.0 18.0
3 恽廷华 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 5 54 4.0 5.0
4 尹莉 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心 2 11 2.0 2.0
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半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
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1980
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