(SiC)P表面低成本化学改性的研究

• 作者: 宿辉 栾风虎 王桂芳 胡胜鹏
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: (SiC)P 碳化硅复合粉体 表面改性 化学镀 热处理
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 21-23
• 页数: 3页
• 分类号: TQ153.3
• 字数: 2466字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3660.2007.02.009

摘要

为解决裸(SiC)P在应用中存在的不足,提出(SiC)P表面低成本化学改性的思路.采用简单的化学镀技术,改进氧化、亲水、敏化和活化的前处理工艺,对(SiC)P进行表面化学改性.确定了最佳的试验工艺,获得了镀层连续、无光滑(SiC)P裸露的较高质量的碳化硅复合粉体[简写为(Ni/SiC)P],通过SEM、EDS、XRD、TEM等测试,结果表明:改性后的(Ni/SiC)P较改性前的(SiC)P导电性有所提高,形貌、组成发生改变.同时分析了热处理对(Ni/SiC)P的影响,结果表明:随着温度的升高,(Ni/SiC)P表面改性层中的镍由非晶态转化为晶态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宿辉	黑龙江工程学院材料与化学工程系	35	271	7.0	16.0
2	栾风虎	哈尔滨工程大学材料科学与工程系	8	23	2.0	4.0
3	王桂芳	哈尔滨工程大学材料科学与工程系	7	9	2.0	2.0
4	胡胜鹏	黑龙江工程学院材料与化学工程系	1	2	1.0	1.0