6H-SiC NMOS与PMOS温度特性分析

• 作者: 杨银堂 韩茹
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 补偿电流源 冻析效应 普尔-弗兰克效应 体漏电流
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 16-20
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 3355字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2007.01.004

摘要

考虑界面态电荷高斯分布模型以及Poole-Frenkel效应,对SiC MOSFET补偿电流源模型进行了修正,分析了造成6H-SiC NMOS与PMOS器件补偿电流源变化的原因.结果表明:界面态电荷的非均匀分布造成由阈值电压漂移引起的输出漏电流改变量随温度的升高逐渐减小;漏衬界面缺陷是造成体漏电流较大(达到微安量级)的主要因素,且缺陷密度越大,该值随温度增长的速度越快.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	韩茹	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	7	33	5.0	5.0