常压射频冷等离子体刻蚀硅的研究

• 作者: 尹明会 徐向宇 段小晋 王守国 赵玲利
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 常压 射频 等离子体刻蚀 硅
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1615-1619
• 页数: 5页
• 分类号: TN405.98+2
• 字数: 3067字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.10.024

摘要

介绍一种新型的常压射频低温冷等离子放电设备,并用该设备进行硅刻蚀的工艺实验.研究了刻蚀硅的速率随等离子体放电功率、气体流量以及衬底温度的变化规律,并得到了最大刻蚀速率为390nm/min.利用台阶仪、显微镜和扫描电镜(SEM)对刻蚀效果进行检测与分析,证实了该设备对硅的浅刻蚀具有较好的均匀性和较高的各向异性.结果表明,该设备在常压下刻蚀硅,操作简单且不易对材料表面产生损伤.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐向宇	中国科学院光电研究院	4	13	2.0	3.0
2	王守国	中国科学院光电研究院	28	193	8.0	13.0
3	赵玲利	中国科学院微电子研究所	10	100	6.0	10.0
4	段小晋	中国科学院微电子研究所	1	7	1.0	1.0
5	尹明会	中国科学院微电子研究所	3	10	2.0	3.0