Ba2MgGe2O7:Cr4+晶体中荷移激发态对g因子贡献的研究

• 作者: 吴晓轩 郑文琛
• 来源期刊: 光谱学与光谱分析
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子顺磁共振 g因子 荷移机制 晶体场和配位场理论 Ba2MgGe2O7晶体
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 页码范围: 8-11
• 页数: 4页
• 分类号: O482.5
• 字数: 3563字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-0593.2007.01.003

摘要

文章建立了立方四面体3d2络合物g因子的完全高阶微扰公式.在这个公式中,除了与d-d跃迁光谱(晶场激发态)有关的晶场(CF)机制的贡献(包括近年发展的双旋-轨耦合参量模型)外,与电荷转移光谱(荷移激发态)有关的荷移(CT)机制的贡献也被考虑.将这个公式应用于Ba2MgGe2O7:Cr4+晶体平均g因子的计算,发现理论计算值与实验值很好的一致,同时,荷移机制对g移动△g(=g-2.002 3)的贡献△gCT在符号上与晶场机制的贡献△gCF相反,而在大小上约为晶场机制贡献的38%.因此,在对高价态过渡金属离子络合物的g因子计算时应考虑CF机制和CT机制的贡献.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑文琛	四川大学材料科学系	15	232	5.0	15.0