VDMOS器件微观结构研究

• 作者: 徐丹 殷景华 王鑫宇
• 来源期刊: 应用科技
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOS 元素分布 微观结构 SEM
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 材料与化学
• 页码范围: 60-62
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1669字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-671X.2007.11.016

摘要

随着VDMOS器件的广泛应用及其制作工艺的发展进步,对提高VDMOS器件性能的研究也日益受到重视.通过利用扫描电子显微镜(SEM)技术,对VDMOS器件的纵向结构元素分布及其在硅腐蚀液腐蚀前后的微观结构变化进行了研究.SEM图像分析表明各元素分布区域界限明显,经过浓度配比为w(HF):w(HNO2):w(HAC)=1:10:7的硅腐蚀液腐蚀后的样品断面的微观结构清晰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	殷景华	哈尔滨理工大学应用科学学院	74	301	9.0	12.0
2	徐丹	哈尔滨理工大学应用科学学院	5	8	2.0	2.0
3	王鑫宇	哈尔滨理工大学应用科学学院	1	2	1.0	1.0