硒化技术对CuInSe2薄膜表面形貌和晶相的影响

• 作者: 朱洁 李健
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Cu-In预置膜 共溅射 硒化 CIS膜
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 574-582
• 页数: 9页
• 分类号: O4
• 字数: 3368字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.01.094

摘要

以共溅射法制备的Cu-In预制膜为衬底材料,以硒粉为原料,尝试了几种特殊的硒化方案,包括单源硒化法、双源硒化法、表面喷粉硒化法、分步硒化退火和同步硒化退火等5种具有代表性和创新性的方案,研究了硒源的摆放方式、升温方法对薄膜质量的影响,比较了不同方法制备的CuInSe2(CIS)薄膜在形貌、成分、相结构等方面的异同.系统地分析了硒化温度、退火温度和退火时间对CuInSe2薄膜成分的影响,研究了各元素的百分含量随硒化退火条件的变化规律,为更准确地把握CIS薄膜的成分和相结构提供有益的借鉴.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱洁	北京科技大学新金属材料国家重点实验室	26	219	9.0	13.0
2	李健	北京科技大学新金属材料国家重点实验室	18	207	9.0	13.0