AlGaN/GaN HFET中的陷阱位置和激活能

• 作者: 薛舫时
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN场效应管 陷阱 二维表面态 表面缺陷 热电子隧穿
• 年，卷（期）: 2007,（z1）
• 页码范围: 418-421
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2061字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.z1.107

摘要

自洽求解薛定谔方程和泊松方程求出了异质结能带和沟道阱基态、激发态及二维表面态的波函数.研究了表面陷阱位置及其激活能.发现表面高密度缺陷减薄了势垒层,显著增强了热电子隧穿过程.从缺陷态发射电子和热电子隧穿构成的新陷阱模型出发,解释了HFET的瞬态电流和产生.复合噪声.最后讨论了改进材料生长和器件工艺来抑制陷阱效应,改善器件性能的途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛舫时	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室	30	154	7.0	11.0