CdS掺Mg和Ni电子结构和光学性质的密度泛函理论研究

• 作者: 江风益 熊志华 饶建平
• 来源期刊: 光学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光学材料 电子结构 光学性质 密度泛函理论
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 2225-2228
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2413字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-2239.2007.12.023

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对闪锌矿结构CdS和CdS:M(M=Mg,Ni)几何结构、能带结构、电子态密度和光学性质进行了系统的研究.几何结构研究对掺杂后体系晶格常量进行了优化计算,结果表明Mg和Ni原子掺入CdS后晶格常量均减小,晶格发生局部畸变.进一步研究了掺杂对体系电子结构的影响,能带结构和电子态密度分析表明由于Ni 3d电子的引入使CdS:Ni成为半金属铁磁半导体,而Mg 3s电子的引入CdS:Mg带隙变宽.另外,体系掺杂后,吸收系数分析表明掺杂导致吸收峰在可见光波长区域变化显著,且掺Ni导致吸收峰进一步向长波方向移动.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江风益	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	60	527	12.0	19.0
2	熊志华	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	4	22	1.0	4.0
3	饶建平	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	3	46	3.0	3.0