考虑高指数晶面的体硅腐蚀模拟新CA模型

• 作者: 周再发 李伟华 邓伟 黄庆安
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 元胞自动机 腐蚀模拟 微机电系统 微加工技术 各向异性腐蚀
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 731-736
• 页数: 6页
• 分类号: TN40
• 字数: 3421字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.05.020

摘要

针对目前体硅腐蚀(硅各向异性腐蚀)的3D CA模型无法引入(211),(311),(331),(411)等较多高密勒指数晶面,模拟精度不高的问题,建立了一种高精度的体硅腐蚀模拟的新3D连续CA(元胞自动机)模型.模型可以有效引入(211),(311),(331),(411)等高密勒指数晶面,提高模拟精度.模拟结果与实验结果一致,证明了模型的模拟效果,对体硅腐蚀模拟研究和提高MEMS设计水平具有一定的实用意义.