Ⅴ/Ⅲ族气体源流量比对AlGaInP材料MOCVD外延生长的影响

• 作者: 于晓东 廉鹏 李建军 林委之 沈光地 邓军 邢艳辉 韩军
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 红光LED 金属有机物化学气相沉积 AlGaInP Ⅴ/Ⅲ比
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 202-204
• 页数: 3页
• 分类号: TN244
• 字数: 1899字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2007.02.013

摘要

用MOCVD系统外延生长AlGaInP材料时往往要通入过量的PH3来获得足够大的Ⅴ/Ⅲ族气体源流量比,以便得到高质量的晶体结构.分别采用1 000 ml/min和400 ml/min 的PH3流量(对应的Ⅴ/Ⅲ比分别为723和289),利用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)系统生长了AlGaInP材料,并使用MOCVD在位监测(in-situ)软件、X射线双晶衍射仪以及光荧光测试系统等对样品进行了测量分析.发现Ⅴ/Ⅲ比不但会影响AlGaInP材料的生长速度,对外延材料与衬底GaAs的晶格失配度和材料的光学特性也有影响.